مصنوعات

ہم نے نائٹروجن ڈوپڈ نینو کاربن فلم الیکٹروڈ کا مطالعہ کیا جس کا نائٹروجن ارتکاز 10.9 فیصد سے کم ہے جو غیر متوازن میگنیٹران (UBM) سپٹرنگ طریقہ سے تشکیل پاتا ہے۔نائٹروجن ڈوپڈ UBM سپٹرنگ نینو کاربن فلم (N-UBM فلم) میں sp(3) مواد نائٹروجن کے بڑھتے ہوئے ارتکاز کے ساتھ قدرے بڑھ جاتا ہے۔نائٹروجن پر مشتمل گریفائٹ جیسا بانڈنگ کم ہو جاتا ہے اور نائٹروجن کے بڑھتے ہوئے ارتکاز کے ساتھ پائریڈائن جیسا بانڈنگ بڑھ جاتا ہے۔N-UBM فلم میں 0.1 سے 0.3 nm کی اوسط کھردری کے ساتھ ایک بہت ہموار سطح ہے، جو نائٹروجن کے ارتکاز سے تقریباً آزاد ہے۔N-UBM فلم الیکٹروڈ ایک خالص UBM فلم الیکٹروڈ (3.9 V) کے مقابلے میں اس کے sp(3) مواد میں معمولی اضافے کی وجہ سے وسیع ممکنہ ونڈو (4.1 V) دکھاتا ہے۔نائٹروجن کے ارتکاز میں اضافے کے ساتھ الیکٹروکیٹلیٹک سرگرمی میں اضافہ ہوا، یہ تجویز کرتا ہے کہ جب نائٹروجن کا ارتکاز تقریباً 10.9 فیصد ہو تو الیکٹرو ایکٹیویٹی زیادہ سے زیادہ ہوتی ہے، جس کی تصدیق Fe(CN)6(4-) کی چوٹی کی علیحدگی سے ہوتی ہے۔N-UBM فلم الیکٹروڈ میں ہائیڈروجن پیرو آکسائیڈ (H2O2) میں کمی کی صلاحیت تقریباً 0.1 V منتقل ہوئی، اور H2O2 کی چوٹی کرنٹ تقریباً 4 گنا بڑھ گیا۔